MOSFET製程主要使用先進的0.25/0.18/0.13 µm製程技術，全方位應用在低壓及中﹑高電壓領域。 擁有類比積體電路﹑MOSFET﹑肖特基二極體等銷售項目，在Co- Pak或COB達到最有效的管理和應用。 

 我們擁有MOSFET ﹑類比積體電路最佳設計及製程整合技術團隊。 

技術： 

•  0.25/0.18/0.13µm 的溝槽式金氧場效電晶體
• 0.35/0.5 µm 的類比積體電路

技術優勢

• 使用短通道技術設計MOSFET及IGBT產品，將細胞密度從400M/in² 增加至900M/in²~2000M/in² ，使晶粒的面積縮小30%以上，並且完全不影響原產品電器特性。
•  由於Buried Gate與Narrow Trench Width之創新技術，可降低Rg 和Qgd,使MOSFET可應用於高速操作頻率之電子系統上。
• 淺溝槽金氧化電晶體製程技術可使得Qgd/Qgs比值更小於1，可避免擊穿效應發生。 
• 本產品晶圓以自行設計之獨家技術轉移至合作晶圓廠投片生產為主，全程由本公司以多年專業經驗執行監督及調整製程，完全掌控產品良率及縮短生產週期；多數競爭品牌因採外購晶圓方式，所以對產品品質及生產週期無法掌握，喪失優勢。 
• 與其他競爭者比較， 本公司使用同業中最先進之8”晶圓、0.18µm 製程量產，多數競爭者目前仍使用6”晶圓、0.35/0.25µm製程，在成本控制上具備更高的優勢。
• 採用最簡化製程技術，產品生產良率均能保證大於95%。 
• 可依客戶應用線路設計之電性需求，開發功能更優化之產品。
•  開發MSD專利，將MOSFET、Schottky、ESD Diode 三合一整合，除技術領先其它廠商外，更加符合客戶應用需求。 
• 完成開發量產業屆最低內阻產品(RDS(ON) =1.6mΩ(Max.), 1.2mΩ(Typ.) )，提高效率並減少耗能。 已規劃完成0.13µm製程技術於未來之產品線上。 
• 已進行申請數十項溝槽式MOSFET及IGBT製程與元件專利。 
• 截至目前，已於美國、台灣、中國進行申請60項專利中，並已取得3項美國專利，各項專利均植基於本產品執行長個人擁有之112項專利。 
• 自有製程主要使用先進的0.25/0.18/0.13 µm製程技術，全方位應用於低壓、中壓及高電壓領域。 
• 不斷擴展銷售市場領域，依產業應用要求開發設計產品，目前擁有類比IC、MOSFET、肖特基二極體和被動零件等銷售項目，達到最有效的管理和應用。
•  我們擁有MOSFET、類比IC最佳設計及製程整合技術團隊，對於市場動向轉換，可立即對應支援。
•  MOSFET產品應用面相當廣泛，舉凡筆記型電腦、主機板、顯示器、數位相機、手機通訊等3C產品線路設計均會使用到此類型產品；由於產品多用於大電流線路應用，生產又採特殊製程，極不容易與其它IC元件合併，因此保有持續成長市場銷售的潛力。

IGBT產品目前僅美國、日本廠商及本產品有此生產技術，主要用於電源產業，使功率消耗最小化，能源效率最大化，預估全球半導體分立器件及電子功率模組市場需求量約136億美元，IMS預測，這塊市場在未來5年內的年平均成長率，仍可維持8~9%高檔水準。